Številka izdelka proizvajalca:
R6025JNXC7G
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
R6025JNXC7G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220FM
Zaloga:
1975 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13525952
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
R6025JNXC7G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
7V @ 4.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1900 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
85W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FM
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
R6025
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RDD020N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RQ3L090GNTB
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
