Številka izdelka proizvajalca:
R6042JNZ4C13
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
R6042JNZ4C13-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 42A TO247G
Podroben opis:
N-Channel 600 V 42A (Tc) 495W (Tc) Through Hole TO-247G
Zaloga:
97 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13527266
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
R6042JNZ4C13 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
42A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
104mOhm @ 21A, 15V
vgs(th) (maks) @ id
7V @ 5.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 15 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3500 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
495W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247G
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
R6042
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RD3P200SNTL1
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
SCH2080KEC
SICFET N-CH 1200V 40A TO247
RQ3E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSMT
