R6086YNZ4C13
Številka izdelka proizvajalca:

R6086YNZ4C13

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

R6086YNZ4C13-DG

Opis:

NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
Podroben opis:
N-Channel 600 V 86A (Tc) 781W (Tc) Through Hole TO-247G

Zaloga:

568 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001156
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

R6086YNZ4C13 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
86A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V, 12V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
44mOhm @ 17A, 12V
vgs(th) (maks) @ id
6V @ 4.6mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5100 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
781W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247G
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
R6086

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
R6086YNZ4

Dodatne informacije

Druga imena
846-R6086YNZ4C13
Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
transphorm

TP65H070LDG-TR

650 V 25 A GAN FET

vishay-siliconix

SIRS5800DP-T1-GE3

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

vishay-siliconix

SQA409CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)

vishay-siliconix

SUM70042M-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET D2P