Številka izdelka proizvajalca:
RD3H200SNTL1
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RD3H200SNTL1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Podroben opis:
N-Channel 45 V 20A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
2975 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526077
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RD3H200SNTL1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
45 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
28mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
950 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
20W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RD3H200
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RD3H200SNTL1CT
RD3H200SNTL1DKR
RD3H200SNTL1TR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RF4E100AJTCR
MOSFET N-CH 30V 10A HUML2020L8
R6020KNX
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
