Številka izdelka proizvajalca:
RD3L080SNTL1
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RD3L080SNTL1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Podroben opis:
N-Channel 60 V 8A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
2542 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13525901
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RD3L080SNTL1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
80mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
380 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
15W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RD3L080
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RD3L080SNTL1TR
RD3L080SNTL1CT
RD3L080SNTL1DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
R6004ENJTL
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
RD3P100SNTL1
MOSFET N-CH 100V 10A TO252
R5005CNJTL
MOSFET N-CH 500V 5A LPTS