Številka izdelka proizvajalca:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RD3L08BGNTL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Podroben opis:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Zaloga:
1415 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13525521
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RD3L08BGNTL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3620 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
119W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
RD3L08
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK6R7P06PL,RQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
22356
ŠTEVILKA DELA
TK6R7P06PL,RQ-DG
CENA ENOTE
0.31
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
R6035ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
RTU002P02T106
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3
RSJ300N10TL
MOSFET N-CH 100V 30A LPTS
