Številka izdelka proizvajalca:
RDN080N25FU6
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RDN080N25FU6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Podroben opis:
N-Channel 250 V 8A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220FN
Zaloga:
13527307
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RDN080N25FU6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
543 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FN
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
RDN080
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF634PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
6636
ŠTEVILKA DELA
IRF634PBF-DG
CENA ENOTE
0.67
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
R5007ANX
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM
RSR030N06TL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RD3U040CNTL1
MOSFET N-CH 250V 4A TO252