Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
RJ1P12BBDTLL
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RJ1P12BBDTLL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
Podroben opis:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL
Zaloga:
994 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13525711
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RJ1P12BBDTLL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 2.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4170 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
178W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
LPTL
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
RJ1P12
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
RJ1P12BBDTLL
Dodatne informacije
Druga imena
RJ1P12BBDTLLTR
RJ1P12BBDTLLCT
RJ1P12BBDTLLDKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
PSMN6R5-80BS,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
4297
ŠTEVILKA DELA
PSMN6R5-80BS,118-DG
CENA ENOTE
0.95
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
BUK965R8-100E,118
PROIZVAJALEC
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
3024
ŠTEVILKA DELA
BUK965R8-100E,118-DG
CENA ENOTE
1.56
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RUF025N02TL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
RSH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
RSS130N03FU6TB
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
RTR025P02TL
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3