RQ3E180GNTB
Številka izdelka proizvajalca:

RQ3E180GNTB

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

RQ3E180GNTB-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT
Podroben opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Zaloga:

4770 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526567
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RQ3E180GNTB Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Ta), 39A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1520 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 20W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HSMT (3.2x3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
RQ3E180

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
RQ3E180GNTB HSMT8 TB Taping Spec

Dodatne informacije

Druga imena
RQ3E180GNTBTR
RQ3E180GNTBDKR
RQ3E180GNTBCT
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
rohm-semi

RD3G500GNTL

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

rohm-semi

RXH125N03TB1

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

rohm-semi

R6025ANZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

rohm-semi

RQ5E025ATTCL

MOSFET P-CHANNEL 30V 2.5A TSMT3