Številka izdelka proizvajalca:
RQ6E085BNTCR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RQ6E085BNTCR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Podroben opis:
N-Channel 30 V 8.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Zaloga:
3490 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526693
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RQ6E085BNTCR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1350 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TSMT6 (SC-95)
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
RQ6E085
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RQ6E085BNTCRCT
RQ6E085BNTCRDKR
RQ6E085BNTCRTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SCT2080KEHRC11
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
ZDX130N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
RCX300N20
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
