Številka izdelka proizvajalca:
RS1G120MNTB
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RS1G120MNTB-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Podroben opis:
N-Channel 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Zaloga:
18744 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526375
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RS1G120MNTB Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16.2mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
570 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-HSOP
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Osnovna številka izdelka
RS1G
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RS1G120MNTBCT
RS1G120MNTBDKR
RS1G120MNTBTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RSM002N06T2L
MOSFET N-CH 60V 250MA VMT3
RSF014N03TL
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
SCT3040KLHRC11
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
