RS1G260MNTB

Številka izdelka proizvajalca:

RS1G260MNTB

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

RS1G260MNTB-DG

Opis:

MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

Podroben opis:

N-Channel 40 V 26A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Zaloga:

2296 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

13524434

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

RS1G260MNTB Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

ROHM Semiconductor

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

40 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

26A (Ta), 80A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

3.3mOhm @ 26A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 1mA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

44 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

2988 pF @ 20 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3W (Ta), 35W (Tc)

Delovna temperatura

150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-HSOP

Paket / Primer

8-PowerTDFN

Osnovna številka izdelka

RS1G

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

RS1G260MN HSMT8 TB Taping Spec

Dodatne informacije

Druga imena

RS1G260MNTBCT

RS1G260MNTBTR

RS1G260MNTBDKR

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

rohm-semi

RSD221N06TL

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

rohm-semi

R6076ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

rohm-semi

QS5U12TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

rohm-semi

RF4E110GNTR

MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8