Številka izdelka proizvajalca:
RT1A060APTR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
RT1A060APTR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
Podroben opis:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Zaloga:
56 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13524374
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
RT1A060APTR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
19mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
-8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7800 pF @ 6 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
600mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSST
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Osnovna številka izdelka
RT1A060
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
RT1A060APTRDKR
RT1A060APTRCT
RT1A060APTRTR
RT1A060APTRDKR-ND
RT1A060APCT
RT1A060APTRCT-ND
RT1A060APTRTR-ND
RT1A060APDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RTL020P02FRATR
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
RSE002N06TL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
