RV8C010UNHZGG2CR
Številka izdelka proizvajalca:

RV8C010UNHZGG2CR

Product Overview

Proizvajalec:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Številka dela:

RV8C010UNHZGG2CR-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Podroben opis:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 1W Surface Mount DFN1010-3W

Zaloga:

5842 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948488
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

RV8C010UNHZGG2CR Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1A (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
470mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
40 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DFN1010-3W
Paket / Primer
3-XFDFN
Osnovna številka izdelka
RV8C010

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
RV8C010UNHZGG2CR

Dodatne informacije

Druga imena
846-RV8C010UNHZGG2CRCT
846-RV8C010UNHZGG2CRDKR
846-RV8C010UNHZGG2CRTR
Standardni paket
8,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
rohm-semi

RV8L002SNHZGG2CR

MOSFET N-CH 60V 250MA DFN1010-3W

stmicroelectronics

STW56N65M2-4

MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L

stmicroelectronics

STD8N60DM2

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

stmicroelectronics

STB22N60M6

MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK