Številka izdelka proizvajalca:
SCT3120ALGC11
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
SCT3120ALGC11-DG
Opis:
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Podroben opis:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-247N
Zaloga:
6940 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13526426
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
lp9j
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCT3120ALGC11 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
21A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.6V @ 3.33mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -4V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
460 pF @ 500 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
103W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247N
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SCT3120
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
Q12567120
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
RTM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
RW1C025ZPT2CR
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
