Številka izdelka proizvajalca:
TT8M2TR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
TT8M2TR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST
Podroben opis:
Mosfet Array 30V, 20V 2.5A 1.25W Surface Mount 8-TSST
Zaloga:
13525091
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TT8M2TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Not For New Designs
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V, 20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
180pF @ 10V
Moč - največja
1.25W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SMD, Flat Lead
Paket naprav dobavitelja
8-TSST
Osnovna številka izdelka
TT8M2
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
NTHD3100CT1G
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
5410
ŠTEVILKA DELA
NTHD3100CT1G-DG
CENA ENOTE
0.34
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SP8K1FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP
VT6J1T2CR
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
SH8M51GZETB
MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A 8SOP
