Številka izdelka proizvajalca:
US6J11TR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
US6J11TR-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Podroben opis:
Mosfet Array 12V 1.3A 320mW Surface Mount TUMT6
Zaloga:
5885 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13527012
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
US6J11TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 P-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
12V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.3A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
290pF @ 6V
Moč - največja
320mW
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Paket naprav dobavitelja
TUMT6
Osnovna številka izdelka
US6J11
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
US6J11DKR
US6J11CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SP8K22FRATB
MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP
TT8K11TCR
MOSFET 2N-CH 30V 3A 8TSST
SP8K2TB
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP