Številka izdelka proizvajalca:
US6M2TR
Product Overview
Proizvajalec:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Številka dela:
US6M2TR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Podroben opis:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Zaloga:
96862 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13525476
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
US6M2TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
ROHM Semiconductor
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V, 20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.5A, 1A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
80pF @ 10V
Moč - največja
1W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Paket naprav dobavitelja
TUMT6
Osnovna številka izdelka
US6M2
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Dokumenti o zanesljivosti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
US6M2DKR
US6M2CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
