Številka izdelka proizvajalca:
2SA1208S-AE
Product Overview
Proizvajalec:
Sanyo
DiGi Electronics Številka dela:
2SA1208S-AE-DG
Opis:
2SA1208 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 70 mA 150MHz 900 mW Through Hole 3-MP
Zaloga:
65000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12996487
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SA1208S-AE Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
PNP
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
70 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
160 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
400mV @ 3mA, 30mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 10mA, 5V
Moč - največja
900 mW
Frekvenca - prehod
150MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Razred
-
Kvalifikacija
-
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Paket naprav dobavitelja
3-MP
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SA1208S-AE-600057
Standardni paket
2,049
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Vendor Undefined
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BD17910STU
TRANS NPN 80V 3A TO126-3
BC54-16PA,115
NEXPERIA BC54-16PA - SMALL SIGNA
BC56-10PA,115
NEXPERIA BC56-10PA - SMALL SIGNA
