Številka izdelka proizvajalca:
2SC2812-7-TB-E
Product Overview
Proizvajalec:
Sanyo
DiGi Electronics Številka dela:
2SC2812-7-TB-E-DG
Opis:
NPN SILICON TRANSISTOR
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 200 mW Surface Mount 3-CP
Zaloga:
402000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12968496
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SC2812-7-TB-E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
150 mA
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
500mV @ 5mA, 50mA
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
100nA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
300 @ 1mA, 6V
Moč - največja
200 mW
Frekvenca - prehod
100MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket naprav dobavitelja
3-CP
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
ONSSNY2SC2812-7-TB-E
2156-2SC2812-7-TB-E
Standardni paket
1,210
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BC857-QVL
TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
BCX55-10E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
BC487
TRANS GP BJT NPN 60V 0.5A
