Številka izdelka proizvajalca:
2SD1803S-E
Product Overview
Proizvajalec:
Sanyo
DiGi Electronics Številka dela:
2SD1803S-E-DG
Opis:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 180MHz 1 W Through Hole IPAK/TP
Zaloga:
3000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946092
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2SD1803S-E Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
5 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
50 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
400mV @ 150mA, 3A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
1µA (ICBO)
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 2V
Moč - največja
1 W
Frekvenca - prehod
180MHz
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket naprav dobavitelja
IPAK/TP
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-2SD1803S-E
ONSONS2SD1803S-E
Standardni paket
461
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SD1802T-E
TRANS NPN 50V 5A TP
BC556BTA
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
2SD1005-T1-AY
2SD1005 - SIGNAL DEVICE
