MJ11028G
Številka izdelka proizvajalca:

MJ11028G

Product Overview

Proizvajalec:

Sanyo

DiGi Electronics Številka dela:

MJ11028G-DG

Opis:

HIGH-CURRENT NPN SILICON POWER T
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Zaloga:

2500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946689
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

MJ11028G Tehnične specifikacije

Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Darlington
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
50 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
60 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
3.5V @ 500mA, 50A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
2mA
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Moč - največja
300 W
Frekvenca - prehod
-
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-204AE
Paket naprav dobavitelja
TO-204 (TO-3)

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
ONSONSMJ11028G
2156-MJ11028G
Standardni paket
23

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

KSC1008GBU

TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3

fairchild-semiconductor

MJ11033G

HIGH-CURRENT PNP SILICON POWER T

stmicroelectronics

BU941ZP

TRANS NPN DARL 350V 15A TO247-3

fairchild-semiconductor

FJL4315OTU

TRANS NPN 250V 17A HPM F2