Številka izdelka proizvajalca:
2N6661
Product Overview
Proizvajalec:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
2N6661-DG
Opis:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Podroben opis:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Zaloga:
6694 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12971657
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2N6661 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Manufacturers
Pakiranje
Box
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
90 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 1mA
Vgs (maks)
±40V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 25 V
Odvajanje moči (maks.)
6.25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-39
Paket / Primer
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2383-2N6661
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
