Številka izdelka proizvajalca:
SCT30N120H
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
SCT30N120H-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Zaloga:
12871911
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCT30N120H Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1700 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
H2PAK-2
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
SCT30
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-SCT30N120HDKR
SCT30N120H-DG
497-SCT30N120HTR
497-SCT30N120HCT
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF14NM65N
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
STW24NK55Z
MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
STW24N60M2
N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ.,
