Številka izdelka proizvajalca:
SCTWA10N120
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
SCTWA10N120-DG
Opis:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 110W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Zaloga:
500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12876962
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCTWA10N120 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA (Typ)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
300 pF @ 1000 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
HiP247™ Long Leads
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SCTWA10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1138-SCTWA10N120
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
MSC360SMA120B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
138
ŠTEVILKA DELA
MSC360SMA120B-DG
CENA ENOTE
4.74
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
STB80NF55-08AG
MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
STF17N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
