Številka izdelka proizvajalca:
SCTWA20N120
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
SCTWA20N120-DG
Opis:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Zaloga:
526 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879918
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCTWA20N120 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
239mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA (Typ)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
650 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
175W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
HiP247™ Long Leads
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SCTWA20
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1138-SCTWA20N120
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB14NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
STB11N52K3
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
STD16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
