Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SCTWA50N120
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
SCTWA50N120-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 65A (Tc) 318W (Tc) Through Hole HiP247™
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12877054
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCTWA50N120 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
65A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
69mOhm @ 40A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1900 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
318W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
HiP247™
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SCTWA50
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SCTWA50N120
Dodatne informacije
Druga imena
SCTWA50N120-DG
497-SCTWA50N120
-1138-SCTWA50N120
497-18637
497-18637-DG
Standardni paket
600
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
C3M0065090D
PROIZVAJALEC
Wolfspeed, Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1319
ŠTEVILKA DELA
C3M0065090D-DG
CENA ENOTE
12.82
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
MSC040SMA120B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
61
ŠTEVILKA DELA
MSC040SMA120B-DG
CENA ENOTE
16.98
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP16NF06
MOSFET N-CH 60V 16A TO220AB
STB22NM60N
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
STB5N52K3
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
STR2N2VH5
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23