Številka izdelka proizvajalca:
STB10N65K3
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB10N65K3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
901 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12876649
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB10N65K3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
SuperMESH3™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
150W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB10N6
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-14032-1
-497-14032-2
497-14032-1
497-14032-2
-497-14032-6
497-14032-6
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AOB12N65L
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1100
ŠTEVILKA DELA
AOB12N65L-DG
CENA ENOTE
0.77
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF520
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
STE250NS10
MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
STD55N4F5
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
