Številka izdelka proizvajalca:
STB11NM60-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB11NM60-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12880578
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB11NM60-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
160W (Tc)
Delovna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STB11N
Dodatne informacije
Druga imena
STB11NM60-1-DG
497-5379-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FCI7N60
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
990
ŠTEVILKA DELA
FCI7N60-DG
CENA ENOTE
1.21
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB6N60M2
MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
STU16N65M2
MOSFET N-CH 650V 11A IPAK
STP200N4F3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
