Številka izdelka proizvajalca:
STB120NF10T4
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB120NF10T4-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
27142 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12874622
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB120NF10T4 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
STripFET™ II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
312W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-2452-2-NDR
497-2452-1-NDR
497-2452-1
497-2452-2
497-2452-6
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF24N65M2
N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ.,
STFILED524
MOSFET N-CH 525V 4A I2PAKFP
STD5N80K5
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
