Številka izdelka proizvajalca:
STB12NM60N-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB12NM60N-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12874313
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB12NM60N-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
410mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
960 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STB12N
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP11NM60ND
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STP11NM60ND-DG
CENA ENOTE
1.81
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP13NM60N
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
649
ŠTEVILKA DELA
STP13NM60N-DG
CENA ENOTE
2.01
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD35NF3LLT4
MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
STL220N3LLH7
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT