Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
STB16N65M5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB16N65M5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12879136
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB16N65M5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
MDmesh™ V
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
299mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1250 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB16N
Dodatne informacije
Druga imena
497-11235-2
497-11235-1
-497-11235-1
-497-11235-2
497-11235-6
-497-11235-6
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB18N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STB18N65M5-DG
CENA ENOTE
1.32
VRSTA NADOMESTILA
Direct
ŠTEVILO DELA
FCB11N60TM
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
135
ŠTEVILKA DELA
FCB11N60TM-DG
CENA ENOTE
1.43
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SPB11N60C3ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2703
ŠTEVILKA DELA
SPB11N60C3ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.53
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB60R299CPAATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
3987
ŠTEVILKA DELA
IPB60R299CPAATMA1-DG
CENA ENOTE
1.41
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB65R310CFDAATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1407
ŠTEVILKA DELA
IPB65R310CFDAATMA1-DG
CENA ENOTE
1.29
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STK22N6F3
MOSFET N-CH 60V 22A POLARPAK
STU3LN62K3
MOSFET N-CH 620V 2.5A IPAK
STW22N95K5
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO247
STW60NE10
MOSFET N-CH 100V 60A TO247-3