Številka izdelka proizvajalca:
STB17N80K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB17N80K5-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 800 V 14A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
531 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12880393
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB17N80K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ K5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
340mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
866 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB17
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
STB17N80K5-DG
497-19307-6
497-19307-1
497-19307-2
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SPB11N60C3ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2703
ŠTEVILKA DELA
SPB11N60C3ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.53
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP13NM60ND
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STD30PF03LT4
MOSFET P-CH 30V 24A DPAK
STP21NM60ND
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
