Številka izdelka proizvajalca:
STB18N60DM2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB18N60DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
2125 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878795
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB18N60DM2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ DM2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
295mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
90W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB18
Dodatne informacije
Druga imena
497-16339-6
497-16339-1
497-16339-2
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
