Številka izdelka proizvajalca:
STB28N65M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB28N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12872378
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB28N65M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1440 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB28
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-15456-6
497-15456-2
497-15456-1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFA22N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
250
ŠTEVILKA DELA
IXFA22N65X2-DG
CENA ENOTE
2.56
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STB18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
