Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
STB30NM60ND
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB30NM60ND-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12877631
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB30NM60ND Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB30N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
STx30NM60ND
Dodatne informacije
Druga imena
497-8475-6
497-8475-2
-497-8475-1
-497-8475-2
497-8475-1
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB32N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
STB32N65M5-DG
CENA ENOTE
5.37
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHB28N60EF-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1229
ŠTEVILKA DELA
SIHB28N60EF-GE3-DG
CENA ENOTE
2.59
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB60R125CPATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1762
ŠTEVILKA DELA
IPB60R125CPATMA1-DG
CENA ENOTE
3.04
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STS8N6LF6AG
MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SO
STF6N60DM2
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
STL120N4LF6AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT