Številka izdelka proizvajalca:
STB33N60M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB33N60M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12877817
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB33N60M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ II Plus
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
26A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1781 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB33
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-14973-6
497-14973-1
497-14973-2
2156-STB33N60M2
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB60R099CPATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1212
ŠTEVILKA DELA
IPB60R099CPATMA1-DG
CENA ENOTE
3.99
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP9NK90Z
MOSFET N-CH 900V 8A TO220AB
STP12N60M2
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
STQ1NK60ZR-AP
MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
