Številka izdelka proizvajalca:
STB35N65DM2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB35N65DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
12872154
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB35N65DM2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
210W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB35
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-1138-STB35N65DM2CT
-1138-STB35N65DM2DKR
497-18244-1
497-18244-2
-1138-STB35N65DM2TR
497-18244-6
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW20N65M5
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
STB45NF06T4
MOSFET N-CH 60V 38A D2PAK
STD35P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
