Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
STB36NM60ND
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB36NM60ND-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
978 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12872923
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB36NM60ND Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
29A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2785 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
STB36
Dodatne informacije
Druga imena
497-13861-6
497-13861-1
497-13861-2
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPB60R099CPAATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
700
ŠTEVILKA DELA
IPB60R099CPAATMA1-DG
CENA ENOTE
4.17
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STB34NM60ND
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STB34NM60ND-DG
CENA ENOTE
5.89
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
STH60N099DM9-2AG
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STH60N099DM9-2AG-DG
CENA ENOTE
2.30
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IPB60R099P7ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
39
ŠTEVILKA DELA
IPB60R099P7ATMA1-DG
CENA ENOTE
1.57
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPB60R125C6ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2357
ŠTEVILKA DELA
IPB60R125C6ATMA1-DG
CENA ENOTE
2.54
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB80NF55-08T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STP6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
BUK7C3R1-80EJ
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7
2N6661JAN02
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39