Številka izdelka proizvajalca:
STB4NK60Z-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB4NK60Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12877770
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB4NK60Z-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
510 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
70W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STB4NK60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
-497-12536-5
497-12536-5
STB4NK60Z-1-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STI24NM60N
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
981
ŠTEVILKA DELA
STI24NM60N-DG
CENA ENOTE
2.27
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STFH10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STD45N10F7
MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
STD64N4F6AG
MOSFET N-CH 40V 54A DPAK
