Številka izdelka proizvajalca:
STB9NK70Z-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STB9NK70Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12875063
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STB9NK70Z-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
700 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1370 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
115W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
STB9N
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STU5N70M6-S
MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
STP15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STP3NK90Z
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
