Številka izdelka proizvajalca:
STD16N65M2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD16N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
13 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12945683
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD16N65M2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
718 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
STD16
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-15258-1
497-15258-2
497-15258-6
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SIHD14N60E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1269
ŠTEVILKA DELA
SIHD14N60E-GE3-DG
CENA ENOTE
0.86
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW40N90K5
MOSFET N-CH 900V 40A TO247
STB6N80K5
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
STP57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO220
