Številka izdelka proizvajalca:
STD1NK60-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD1NK60-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
5751 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12879508
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD1NK60-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
156 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STD1
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-12782-5
STD1NK60-1-DG
-497-12782-5
STD1NK601
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW43NM60N
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
STL36N60M6
MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
STP4NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
