Številka izdelka proizvajalca:
STD3N65M6
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD3N65M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V DPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
12874825
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD3N65M6 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
MDmesh™ M6
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
0V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
STD3N65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STWA20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
STH360N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STL13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
