Številka izdelka proizvajalca:
STD3NK60Z-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD3NK60Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
2900 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12874939
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD3NK60Z-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
311 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STD3NK60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-19648
STD3NK60Z-1-DG
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRFUC20PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
7
ŠTEVILKA DELA
IRFUC20PBF-DG
CENA ENOTE
0.60
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STU6N60M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
4
ŠTEVILKA DELA
STU6N60M2-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STF12N50M2
MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
STB12NM50T4
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
STL24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
