Številka izdelka proizvajalca:
STD4NK80Z-1
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STD4NK80Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Zaloga:
4630 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12873224
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STD4NK80Z-1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
575 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
80W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-251 (IPAK)
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
STD4NK80
Dodatne informacije
Druga imena
STD4NK80Z1
STD4NK80Z-1-DG
497-12560-5
497-12560-5-DG
497-STD4NK80Z-1
-1138-STD4NK80Z-1
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STB34N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK
STU27N3LH5
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
STP120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
