STD80N10F7
Številka izdelka proizvajalca:

STD80N10F7

Product Overview

Proizvajalec:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Številka dela:

STD80N10F7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK

Zaloga:

2500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12945263
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

STD80N10F7 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DeepGATE™, STripFET™ VII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
70A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3100 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
85W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
STD80

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
497-14812-2
STD80N10F7-DG
497-14812-6
-497-14812-1
-497-14812-2
-497-14812-6
497-14812-1
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
stmicroelectronics

STL120N8F7

MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT

stmicroelectronics

STU60N3LH5

MOSFET N-CH 30V 48A IPAK

taiwan-semiconductor

TQM300NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFNU

taiwan-semiconductor

TQM130NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 10A/50A 8PDFNU