Številka izdelka proizvajalca:
STF10NM60ND
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STF10NM60ND-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Podroben opis:
N-Channel 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Zaloga:
378 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12875790
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STF10NM60ND Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
FDmesh™ II
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
540 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
STF10
Dodatne informacije
Druga imena
-497-12246
497-12246
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STH275N8F7-2AG
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
STL18N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
STD70N6F3
MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
