Številka izdelka proizvajalca:
STF27N60M2-EP
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STF27N60M2-EP-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Zaloga:
1000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878653
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STF27N60M2-EP Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ M2-EP
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
163mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.75V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1320 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
STF27
Tehnični list in dokumenti
Viri za oblikovanje
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-16487-5-DG
497-STF27N60M2-EP
-1138-STF27N60M2-EP
497-16487-5
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STW65N60DM6
MOSFET N-CH 600V 38A TO247
SI2101-TP
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT323
STW60N65M5
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
