Številka izdelka proizvajalca:
STF4LN80K5
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STF4LN80K5-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
Podroben opis:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
Zaloga:
1998 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12878177
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STF4LN80K5 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
MDmesh™ K5
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.6Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
3.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
122 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
20W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
STF4LN80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
STF4LN80K5-DG
497-17292
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP60NE06-16
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
STFU6N65
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
